JCS4N60B Todos los transistores

 

JCS4N60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS4N60B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 27 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS4N60B

 

JCS4N60B Datasheet (PDF)

3.1. jcs4n60f.pdf Size:948K _update-mosfet

JCS4N60B
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N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5Ω (@Vgs=10V) 27 nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性

3.2. jcs4n60f.pdf Size:948K _jilin_sino

JCS4N60B
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N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 \ň Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V 27 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 4.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _update

JCS4N60B
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N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson(Vgs=10V) 2.5Ω 9nC Qg APPLICATIONS 用途 High frequency switching 高频开关电源 mode power supply 电子镇流器 Electronic ballast UPS 电源 UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷

4.2. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _jilin_sino

JCS4N60B
JCS4N60B

N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C \ň Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching

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