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JCS4N60B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS4N60B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS4N60B

 

Principales características: JCS4N60B

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JCS4N60B

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low

 0.1. Size:1019K  1
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N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson Vgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 0.2. Size:1045K  jilin sino
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

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History: PSMN2R0-60PSR | IRFH3707PBF | IRFE130

 

 
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