JCS4N60B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS4N60B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-262

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JCS4N60B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS4N60B datasheet

 ..1. Size:1304K  jilin sino
 jcs4n60v jcs4n60c jcs4n60f jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60B

 ..2. Size:1259K  jilin sino
 jcs4n60f jcs4n60f jcs4n60v jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60B

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low

 0.1. Size:1019K  1
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson Vgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 0.2. Size:1045K  jilin sino
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF, MDU2657, JCS4N60V, JCS4N60R, JCS4N60S, IRF640, JCS4N60C, JCS4N60F, CMP1405, CMB1405, UPA2701GR, UPA2702GR, UPA2706GR, UPA2707GR