JCS4N60C Todos los transistores

 

JCS4N60C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS4N60C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220C

 Búsqueda de reemplazo de JCS4N60C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS4N60C datasheet

 ..1. Size:1304K  jilin sino
 jcs4n60v jcs4n60c jcs4n60f jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60C

 0.1. Size:1019K  1
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson Vgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 0.2. Size:1045K  jilin sino
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

 7.1. Size:1259K  jilin sino
 jcs4n60f jcs4n60f jcs4n60v jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60C

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , MDU2657 , JCS4N60V , JCS4N60R , JCS4N60S , JCS4N60B , IRF1404 , JCS4N60F , CMP1405 , CMB1405 , UPA2701GR , UPA2702GR , UPA2706GR , UPA2707GR , UPA2708GR .

History: IXFH26N50Q

 

 

 


History: IXFH26N50Q

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E

 

 

 

Popular searches

c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971

 

 

↑ Back to Top
.