JCS4N60C - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JCS4N60C. Основные параметры


   Наименование производителя: JCS4N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для JCS4N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS4N60C даташит

 ..1. Size:1304K  jilin sino
 jcs4n60v jcs4n60c jcs4n60f jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60C

 0.1. Size:1019K  1
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson Vgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 0.2. Size:1045K  jilin sino
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

 7.1. Size:1259K  jilin sino
 jcs4n60f jcs4n60f jcs4n60v jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60C

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , MDU2657 , JCS4N60V , JCS4N60R , JCS4N60S , JCS4N60B , IRF1404 , JCS4N60F , CMP1405 , CMB1405 , UPA2701GR , UPA2702GR , UPA2706GR , UPA2707GR , UPA2708GR .

 

 
Back to Top

 


 
.