UPA503CT Todos los transistores

 

UPA503CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UPA503CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-74A
     - Selección de transistores por parámetros

 

UPA503CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  renesas
 upa503ct.pdf pdf_icon

UPA503CT

Preliminary Data Sheet PA503CT R07DS1279EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 08, 2015Description The PA503CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits (Two source common) Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-stat

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TMAN9N90 | AP9974GH | 8N80G-TF3-T | NP40N055KHE | NVMFS6H858N | IRHMK57260SE | IRF7809A

 

 
Back to Top

 


 
.