UPA503CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UPA503CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-74A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UPA503CT

UPA503CT Datasheet (PDF)

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upa503ct.pdf

Preliminary Data Sheet PA503CT R07DS1279EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 08, 2015Description The PA503CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits (Two source common) Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-stat

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Liste

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