Справочник MOSFET. UPA503CT

 

UPA503CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UPA503CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: SC-74A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UPA503CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  renesas
 upa503ct.pdf pdf_icon

UPA503CT

Preliminary Data Sheet PA503CT R07DS1279EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 08, 2015Description The PA503CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits (Two source common) Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-stat

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PSMN8R0-40PS | IRC8405 | DMG1012T | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.