UPA572CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UPA572CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-88A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UPA572CT

UPA572CT Datasheet (PDF)

..1. Size:133K renesas
upa572ct.pdf

Preliminary Data Sheet PA572CT R07DS1281EJ0200Rev.2.00N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA572CT, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits (Two source common) Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state

9.1. Size:180K renesas
upa573ct.pdf

Preliminary Data Sheet PA573CT R07DS1280EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 08, 2015Description The PA573CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits (Two source common) Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-stat

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Liste

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