UPA572CT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UPA572CT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2 nC
trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: SC-88A
UPA572CT Datasheet (PDF)
upa572ct.pdf
Preliminary Data Sheet PA572CT R07DS1281EJ0200Rev.2.00N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA572CT, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits (Two source common) Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state
upa573ct.pdf
Preliminary Data Sheet PA573CT R07DS1280EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 08, 2015Description The PA573CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits (Two source common) Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-stat
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F