UPA602CT Todos los transistores

 

UPA602CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UPA602CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-74
     - Selección de transistores por parámetros

 

UPA602CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  renesas
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UPA602CT

Preliminary Data Sheet PA602CT R07DS1282EJ0200Rev.2.00N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA602CT, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on

 9.1. Size:189K  renesas
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UPA602CT

Preliminary Data Sheet PA603CT R07DS1283EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA603CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on

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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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