UPA602CT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UPA602CT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Encapsulados: SC-74
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UPA602CT datasheet
upa602ct.pdf
Preliminary Data Sheet PA602CT R07DS1282EJ0200 Rev.2.00 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015 Description The UPA602CT, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on
upa603ct.pdf
Preliminary Data Sheet PA603CT R07DS1283EJ0200 Rev.2.00 P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015 Description The UPA603CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on
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