Справочник MOSFET. UPA602CT

 

UPA602CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UPA602CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: SC-74
 

 Аналог (замена) для UPA602CT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UPA602CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  renesas
 upa602ct.pdf pdf_icon

UPA602CT

Preliminary Data Sheet PA602CT R07DS1282EJ0200Rev.2.00N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA602CT, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on

 9.1. Size:189K  renesas
 upa603ct.pdf pdf_icon

UPA602CT

Preliminary Data Sheet PA603CT R07DS1283EJ0200Rev.2.00P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jul 10, 2015Description The UPA603CT, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Two MOSFET circuits Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on

Другие MOSFET... UPA2821T1L , UPA2822T1L , UPA2825T1S , UPA2826T1S , UPA3753GR , UPA503CT , UPA572CT , UPA573CT , IRF740 , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , US5U1 , US5U2 , US5U29TR .

 

 
Back to Top

 


 
.