US5U2 Todos los transistores

 

US5U2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: US5U2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT5

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Principales características: US5U2

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US5U2

US5U2 Transistors 4V Drive Nch+SBD MOSFET US5U2 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) 4V drive. 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol U02 Applications Swi

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US5U2

US5U29 Transistor Small switching ( 20V, 1.5A) US5U29 Features External dimensions (Unit mm) 1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a (4) (3) (2) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. (5) (1) 2) Pch MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. 0.2 1.7 0.2 2.1 3) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V) 4) The Independently con

Otros transistores... UPA573CT , UPA602CT , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , US5U1 , IRFZ44 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 .

 

 
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