US5U3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US5U3

Código: U03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 1.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 14 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.24 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET US5U3

US5U3 Datasheet (PDF)

1.1. us5u3.pdf Size:65K _update-mosfet

US5U3 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US5U3 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol

1.2. us5u38.pdf Size:106K _update-mosfet

US5U38 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U38 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 1.3 Features 1) The US5U38 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (2.5V). 4) Built-in schottky barrier diode has low forward volt

1.3. us5u35.pdf Size:101K _update-mosfet

US5U35 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET US5U35 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 Features 1.3 1) The US5U35 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) With fast switching. 3) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. Abbreviated symbol : U35 Applications Swi

1.4. us5u30.pdf Size:76K _update-mosfet

US5U30 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U30 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 1.3 Features 1) The US5U30 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive(2.5V) 4) Built-in schottky barrier diode has low forward v

1.5. us5u3.pdf Size:65K _rohm