US6J11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6J11 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Encapsulados: TUMT6
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de US6J11 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
US6J11 datasheet
us6j11.pdf
US6J11 Pch -12V -1.3A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS -12V (5) TUMT6 (4) RDS(on) (Max.) 260mW ID (1) -1.3A (2) PD (3) 1.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (2) Tr1 Gate 2) -1.5V Drive. (3) Tr2 Drain (4) Tr2 Source 3) Built-in G-S Protection Diode. (5) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 4) Small Surface Mount Package (TUMT6). *
Otros transistores... UPA651TT, US5U1, US5U2, US5U29TR, US5U3, US5U30, US5U35, US5U38, IRFZ44, US6K1, US6K2, US6K4, US6M1, US6M11, US6M2, US6U37, AM4437P
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023
Popular searches
2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913
