US6J11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6J11
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET US6J11
US6J11 Datasheet (PDF)
us6j11.pdf
US6J11 Pch -12V -1.3A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS -12V (5) TUMT6 (4) RDS(on) (Max.) 260mW ID (1) -1.3A (2) PD (3) 1.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (2) Tr1 Gate 2) -1.5V Drive. (3) Tr2 Drain (4) Tr2 Source 3) Built-in G-S Protection Diode. (5) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 4) Small Surface Mount Package (TUMT6). *
Otros transistores... UPA651TT , US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , IRFP260N , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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