US6J11 Todos los transistores

 

US6J11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6J11

Código: J11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 2.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 28 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT6

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US6J11 Datasheet (PDF)

1.1. us6j11.pdf Size:504K _update-mosfet

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US6J11 Pch -12V -1.3A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS -12V (5) TUMT6 (4) RDS(on) (Max.) 260mW ID (1) -1.3A (2) PD (3) 1.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (2) Tr1 Gate 2) -1.5V Drive. (3) Tr2 Drain (4) Tr2 Source 3) Built-in G-S Protection Diode. (5) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 4) Small Surface Mount Package (TUMT6). *

1.2. us6j11.pdf Size:233K _rohm

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1.5V Drive Pch+Pch MOSFET US6J11 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Pch MOSFET transistors in a single TUMT6 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (1.5V) makes this device ideal for portable equipment. Abbreviated symbol : J11 5) Drive circuits can be simple. Appli

 

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