US6J11 - описание и поиск аналогов

 

US6J11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: US6J11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для US6J11

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6J11 даташит

 ..1. Size:504K  rohm
 us6j11.pdf pdf_icon

US6J11

US6J11 Pch -12V -1.3A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS -12V (5) TUMT6 (4) RDS(on) (Max.) 260mW ID (1) -1.3A (2) PD (3) 1.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (2) Tr1 Gate 2) -1.5V Drive. (3) Tr2 Drain (4) Tr2 Source 3) Built-in G-S Protection Diode. (5) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 4) Small Surface Mount Package (TUMT6). *

Другие MOSFET... UPA651TT , US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , IRFP260N , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.