Справочник MOSFET. US6J11

 

US6J11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6J11
   Маркировка: J11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для US6J11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6J11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  rohm
 us6j11.pdf pdf_icon

US6J11

US6J11 Pch -12V -1.3A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS-12V(5) TUMT6(4) RDS(on) (Max.)260mWID (1) -1.3A(2) PD (3) 1.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (2) Tr1 Gate 2) -1.5V Drive.(3) Tr2 Drain (4) Tr2 Source 3) Built-in G-S Protection Diode.(5) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 4) Small Surface Mount Package (TUMT6).*

Другие MOSFET... UPA651TT , US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , 10N60 , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P .

History: IRFP3006 | IXTA3N100D2HV | AP9120AGH-HF | AP1802GU

 

 
Back to Top

 


 
.