US6J11 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: US6J11
Маркировка: J11
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.4 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 28 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TUMT6
US6J11 Datasheet (PDF)
1.1. us6j11.pdf 
Size:504K _update-mosfet
US6J11 Pch -12V -1.3A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS -12V (5) TUMT6 (4) RDS(on) (Max.) 260mW ID (1) -1.3A (2) PD (3) 1.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (2) Tr1 Gate 2) -1.5V Drive. (3) Tr2 Drain (4) Tr2 Source 3) Built-in G-S Protection Diode. (5) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain 4) Small Surface Mount Package (TUMT6). *
1.2. us6j11.pdf Size:233K _rohm
1.5V Drive Pch+Pch MOSFET US6J11 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Two Pch MOSFET transistors in a single TUMT6 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 3) Low on-resistance. 4) Low voltage drive (1.5V) makes this device ideal for portable equipment. Abbreviated symbol : J11 5) Drive circuits can be simple. Appli
Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |