US6M11 Todos los transistores

 

US6M11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: US6M11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

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US6M11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  rohm
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US6M11

1.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M11 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) Low on-resistance. 3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol : M11 Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)1 Packa

 9.1. Size:93K  rohm
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US6M11

US6M1 Transistors 4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6M1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TUMT6). Abbreviated symbol : M01 Application Power switching, DC / DC converter. Packaging specifications Equivalent circuit Package Tapi

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History: IRFZ20PBF

 

 
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