US6M11 Todos los transistores

 

US6M11 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6M11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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US6M11 datasheet

 ..1. Size:198K  rohm
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US6M11

1.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M11 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6 Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) Low on-resistance. 3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol M11 Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4) 1 Packa

 9.1. Size:93K  rohm
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US6M11

US6M1 Transistors 4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6M1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TUMT6). Abbreviated symbol M01 Application Power switching, DC / DC converter. Packaging specifications Equivalent circuit Package Tapi

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