US6U37 Todos los transistores

 

US6U37 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: US6U37

Código: U37

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 1.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 14 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.24 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET US6U37

 

US6U37 Datasheet (PDF)

1.1. us6u37.pdf Size:101K _update-mosfet

US6U37
US6U37

US6U37 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US6U37 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6 Schottky barrier diode Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U37

1.2. us6u37.pdf Size:101K _rohm

US6U37
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US6U37 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US6U37 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6 Schottky barrier diode Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U37

 

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