US6U37 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: US6U37
Маркировка: U37
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.6 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: TUMT6
Аналог (замена) для US6U37
US6U37 Datasheet (PDF)
us6u37.pdf

US6U37 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US6U37 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6Schottky barrier diode Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol : U37
Другие MOSFET... US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 , IRF9540 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF , APM3009NG , APM3009NU , APM3023NU , APM3023NV , APM3023NF .
History: SIHFP26N60L | SQ4410EY | TPA80R750C | AP2344GN-HF | AONS1R6A70 | SQJB42EP
History: SIHFP26N60L | SQ4410EY | TPA80R750C | AP2344GN-HF | AONS1R6A70 | SQJB42EP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124