ECH8305 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ECH8305 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ECH8305

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: ECH8

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ECH8305 datasheet

..1. Size:36K sanyo
ech8305.pdf pdf_icon

Ordering number ENN8145 ECH8305 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8305 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --4 A Drain Current (Pulse) IDP PW 1

8.1. Size:35K sanyo
ech8302.pdf pdf_icon

Ordering number ENN8247 ECH8302 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8302 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --7 A Drain Current (Pulse) IDP PW

8.2. Size:36K sanyo
ech8304.pdf pdf_icon

Ordering number ENN8255 ECH8304 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8304 Applications Features Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 9 V Drain Current (DC) ID

8.3. Size:36K sanyo
ech8306.pdf pdf_icon

Ordering number ENA0302 ECH8306 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8306 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --100 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --2

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