EKI04027 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EKI04027
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de EKI04027 MOSFET
EKI04027 Datasheet (PDF)
eki04027.pdf

40 V, 85 A, 2.6 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04027 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 85 A D RDS(ON) ---------- 3.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 82.5 A) Low Total Gate
eki04027.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor EKI04027FEATURESWith TO-220 packagingLow switching lossUltra low gate chargeEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsDC-DC convertersUninterruptible power supplyABSOLUTE MAXIMUM RATING
eki04036.pdf

40 V, 80 A, 3.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04036 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A) Low Total Gate
eki04047.pdf

40 V, 80 A, 4.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04047 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 5.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A) Low Total Gate
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History: IRFZ34EPBF | OSG70R280KF | DH045N04P
History: IRFZ34EPBF | OSG70R280KF | DH045N04P



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