EKI04047 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EKI04047
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
- Selección de transistores por parámetros
EKI04047 Datasheet (PDF)
eki04047.pdf

40 V, 80 A, 4.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04047 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 5.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A) Low Total Gate
eki04047.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI04047FEATURESDrain Current I =80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.2m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
eki04027.pdf

40 V, 85 A, 2.6 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04027 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 85 A D RDS(ON) ---------- 3.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 82.5 A) Low Total Gate
eki04036.pdf

40 V, 80 A, 3.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04036 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A) Low Total Gate
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FMC20N50E | IRLR3715



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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