Справочник MOSFET. EKI04047

 

EKI04047 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EKI04047
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для EKI04047

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKI04047 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  sanken-ele
eki04047.pdfpdf_icon

EKI04047

40 V, 80 A, 4.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04047 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 5.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A) Low Total Gate

 ..2. Size:250K  inchange semiconductor
eki04047.pdfpdf_icon

EKI04047

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI04047FEATURESDrain Current I =80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.2m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 8.1. Size:246K  sanken-ele
eki04027.pdfpdf_icon

EKI04047

40 V, 85 A, 2.6 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04027 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 85 A D RDS(ON) ---------- 3.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 82.5 A) Low Total Gate

 8.2. Size:246K  sanken-ele
eki04036.pdfpdf_icon

EKI04047

40 V, 80 A, 3.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI04036 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 80 A D RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A) Low Total Gate

Другие MOSFET... EFC6611R , EFC6611R-TF , EFC6612R , EFC6612R-TF , EKG1020 , EKH06100 , EKI04027 , EKI04036 , 13N50 , EKI06051 , EKI06075 , EKI06108 , EKI07076 , EKI07117 , EKI07174 , EKI10126 , EKI10198 .

History: AUIRF8736M2TR | IPD90N06S4-05 | AONR34332C | NP82N04PUG | MTP4835Q8 | PT4606

 

 
Back to Top

 


 
.