EKI07117 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EKI07117
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 116 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de EKI07117 MOSFET
EKI07117 Datasheet (PDF)
eki07117.pdf

75 V, 62 A, 7.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI07117 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 62 A D RDS(ON) ---------- 9.7 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.2 A) Qg ------25.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 31.2 A) Low Total Gate
eki07117.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI07117FEATURESDrain Current I =62A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
eki07174.pdf

75 V, 46 A, 10.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI07174 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 46 A D RDS(ON) -------- 14.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 22.8 A) Qg ------15.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 22.8 A) Low Total Gate
eki07174.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI07174FEATURESDrain Current I =46A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
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History: DMPH6050SK3Q | IPD050N10N5 | AFP1433 | RP1A090ZPTR | PH4840S | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G
History: DMPH6050SK3Q | IPD050N10N5 | AFP1433 | RP1A090ZPTR | PH4840S | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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