EKI07117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EKI07117

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для EKI07117

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKI07117 даташит

 ..1. Size:246K  sanken-ele
 eki07117.pdf pdf_icon

EKI07117

75 V, 62 A, 7.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI07117 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 62 A D RDS(ON) ---------- 9.7 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.2 A) Qg ------25.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 31.2 A) Low Total Gate

 ..2. Size:250K  inchange semiconductor
 eki07117.pdf pdf_icon

EKI07117

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI07117 FEATURES Drain Current I =62A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.7m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 8.1. Size:246K  sanken-ele
 eki07174.pdf pdf_icon

EKI07117

75 V, 46 A, 10.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI07174 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 46 A D RDS(ON) -------- 14.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 22.8 A) Qg ------15.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 22.8 A) Low Total Gate

 8.2. Size:251K  inchange semiconductor
 eki07174.pdf pdf_icon

EKI07117

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI07174 FEATURES Drain Current I =46A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 14.1m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... EKH06100, EKI04027, EKI04036, EKI04047, EKI06051, EKI06075, EKI06108, EKI07076, 20N50, EKI07174, EKI10126, EKI10198, EKI10300, ELM13400CA-S, ELM13401CA, ELM13402CA, ELM13403CA