EKI10126 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EKI10126

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0121 Ohm

Encapsulados: TO-220

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EKI10126 datasheet

 ..1. Size:246K  sanken-ele
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EKI10126

100 V, 66 A, 8.8 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI10126 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 66 A D RDS(ON) -------- 12.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 33.0 A) Qg ------45.2 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 33.0 A) Low Total Gate

 ..2. Size:250K  inchange semiconductor
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EKI10126

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI10126 FEATURES Drain Current I =66A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 12.1m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 8.1. Size:246K  sanken-ele
 eki10198.pdf pdf_icon

EKI10126

100 V, 47 A, 13.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI10198 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 47 A D RDS(ON) -------- 18.4 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.4 A) Qg ------27.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 23.4 A) Low Total Gat

 8.2. Size:251K  inchange semiconductor
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EKI10126

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI10198 FEATURES Drain Current I =47A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 18.4m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

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