ELM14409AA Todos los transistores

 

ELM14409AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM14409AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 945 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ELM14409AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  elm
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ELM14409AA

Single P-channel MOSFETELM14409AA-NGeneral description Features ELM14409AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-10V)resistance. Rds(on)

 7.1. Size:428K  elm
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ELM14409AA

Single N-channel MOSFETELM14408AA-NGeneral description Features ELM14408AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)

 7.2. Size:409K  elm
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ELM14409AA

Single P-channel MOSFETELM14407AA-NGeneral description Features ELM14407AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12A (Vgs=-20V)resistance. Rds(on)

 7.3. Size:415K  elm
 elm14406aa.pdf pdf_icon

ELM14409AA

Single N-channel MOSFETELM14406AA-NGeneral description Features ELM14406AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11.5A (Vgs=10V)resistance. Rds(on)

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History: 14N50L-TA3-T | SVF12N65STR | FQPF7N65CF105 | VN0360ND | NCEA02P20K | NCE60P45AK | BLM7002

 

 
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