ELM14419AA MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ELM14419AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM14419AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 319 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM14419AA datasheet

..1. Size:394K elm
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Single P-channel MOSFET ELM14419AA-N General description Features ELM14419AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-9.7A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

7.1. Size:410K elm
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Single P-channel MOSFET ELM14411AA-N General description Features ELM14411AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

7.2. Size:434K elm
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Single N-channel MOSFET ELM14418AA-N General description Features ELM14418AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=11.5A (Vgs=20V) resistance. Rds(on)

8.1. Size:414K elm
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Single P-channel MOSFET ELM14409AA-N General description Features ELM14409AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)