ELM14427AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM14427AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM14427AA datasheet

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ELM14427AA

Single P-channel MOSFET ELM14427AA-N General description Features ELM14427AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-12.5A (Vgs=-20V) resistance. Internal ESD protection is included. Rds(on)

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ELM14427AA

Single P-channel MOSFET ELM14425AA-N General description Features ELM14425AA-N uses advanced trench technology to Vds=-38V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-14A (Vgs=-20V) resistance. Internal ESD protection is included. Rds(on)

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ELM14427AA

Single N-channel MOSFET ELM14420AA-N General description Features ELM14420AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13.7A (Vgs=10V) resistance. Rds(on)

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ELM14427AA

Single P-channel MOSFET ELM14423AA-N General description Features ELM14423AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-15A (Vgs=-20V) resistance. Internal ESD protection is included. Rds(on)

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