ELM14803AB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM14803AB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM14803AB datasheet

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ELM14803AB

Dual P-channel MOSFET ELM14803AB-N General description Features ELM14803AB-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

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ELM14803AB

Dual N-channel MOSFET ELM14806AA-N General description Features ELM14806AA-N uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=9.4A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

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ELM14803AB

Dual P-channel MOSFET ELM14801AA-N General description Features ELM14801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

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ELM14803AB

Dual P-channel MOSFET ELM14805AA-N General description Features ELM14805AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-8A (Vgs=-20V) Rds(on)

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