ELM14803AB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM14803AB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ELM14803AB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM14803AB даташит

 ..1. Size:1111K  elm
 elm14803ab.pdf pdf_icon

ELM14803AB

Dual P-channel MOSFET ELM14803AB-N General description Features ELM14803AB-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

 7.1. Size:395K  elm
 elm14806aa.pdf pdf_icon

ELM14803AB

Dual N-channel MOSFET ELM14806AA-N General description Features ELM14806AA-N uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=9.4A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

 7.2. Size:389K  elm
 elm14801aa.pdf pdf_icon

ELM14803AB

Dual P-channel MOSFET ELM14801AA-N General description Features ELM14801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

 7.3. Size:410K  elm
 elm14805aa.pdf pdf_icon

ELM14803AB

Dual P-channel MOSFET ELM14805AA-N General description Features ELM14805AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-8A (Vgs=-20V) Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ELM14466AA, ELM14468AA, ELM14604AA, ELM14606AA, ELM14614AA, ELM14702AA-N, ELM14800AA, ELM14801AA, IRFP260N, ELM14805AA, ELM14806AA, ELM14812AA, ELM14822AA, ELM14826AA, ELM14828AA, ELM16400EA, ELM16401EA