ELM16601EA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM16601EA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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ELM16601EA datasheet

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ELM16601EA

Complementary MOSFET ELM16601EA-S General Description Features ELM16601EA-S uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=3.4A(Vgs=10V) Id=-2.3A(Vgs=-10V) Rds(on)

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ELM16601EA

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ELM16601EA

Single P-channel MOSFET ELM16405EA-S General description Features ELM16405EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A (Vgs=-10V) resistance. Rds(on)

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ELM16601EA

Single N-channel MOSFET ELM16408EA-S General description Features ELM16408EA-S uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=8.8A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

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