ELM17408GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM17408GA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.625 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.8 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.02 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM17408GA

ELM17408GA Datasheet (PDF)

..1. Size:410K elm
elm17408ga.pdf

Single N-channel MOSFETELM17408GA-SGeneral description Features ELM17408GA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and operation Id=2.2A (Vgs=4.5V)with gate voltages as low as 1.8V. Rds(on)

7.1. Size:406K elm
elm17400fa.pdf

Single N-channel MOSFETELM17400FA-SGeneral description Features ELM17400FA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and operation Id=1.7A (Vgs=10V)with gate voltages as low as 2.5V. Rds(on)

7.2. Size:386K elm
elm17401fa.pdf

Single P-channel MOSFETELM17401FA-SGeneral description Features ELM17401FA-S uses advanced trench technology Vds=-30Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=-1.2A (Vgs=-10V)operation with gate voltages as low as 2.5V. Rds(on)

8.1. Size:376K elm
elm17412ga.pdf

Single N-channel MOSFETELM17412GA-SGeneral description Features ELM17412GA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and operation Id=2.1A (Vgs=10V)with gate voltages as low as 2.5V. Rds(on)

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Liste

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