ELM24603HA Todos los transistores

 

ELM24603HA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM24603HA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-5
 

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ELM24603HA Datasheet (PDF)

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ELM24603HA

Complementary MOSFET ELM24603HA-SGeneral Description Features ELM24603HA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=60V Vds=-60Vand low gate charge. Id=12A(Vgs=10V) Id=-12A(Vgs=-10V) Rds(on)

 7.1. Size:665K  elm
 elm24604ha.pdf pdf_icon

ELM24603HA

Complementary MOSFET ELM24604HA-SGeneral Description Features ELM24604HA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40Vand low gate charge. Id=8A(Vgs=10V) Id=-8A(Vgs=-10V) Rds(on)

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History: HTD200P03 | JCS5N60FB | OSG60R260PF | IRHNM57214SE | 2SK705 | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
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