ELM32412LA Todos los transistores

 

ELM32412LA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM32412LA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-252

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ELM32412LA datasheet

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ELM32412LA

Single N-channel MOSFET ELM32412LA-S General description Features ELM32412LA-S uses advanced trench technology to Vds=40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

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ELM32412LA

Single N-channel MOSFET ELM32414LA-S General description Features ELM32414LA-S uses advanced trench technology to Vds=25V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=35A resistance. Rds(on)

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ELM32412LA

Single N-channel MOSFET ELM32418LA-S General description Features ELM32418LA-S uses advanced trench technology to Vds=40V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=20A resistance. Rds(on)

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ELM32412LA

Single N-channel MOSFET ELM32416LA-S General description Features ELM32416LA-S uses advanced trench technology to Vds=25V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=46A resistance. Rds(on)

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