ELM32414LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM32414LA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM32414LA

ELM32414LA Datasheet (PDF)

..1. Size:452K elm
elm32414la.pdf

Single N-channel MOSFETELM32414LA-SGeneral description Features ELM32414LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=35A resistance. Rds(on)

7.1. Size:658K elm
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Single N-channel MOSFETELM32418LA-SGeneral description Features ELM32418LA-S uses advanced trench technology to Vds=40Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=20A resistance. Rds(on)

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Single N-channel MOSFETELM32416LA-SGeneral description Features ELM32416LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=46A resistance. Rds(on)

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Single N-channel MOSFETELM32412LA-SGeneral description Features ELM32412LA-S uses advanced trench technology to Vds=40Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

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Liste

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