CMT04N60XN220FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CMT04N60XN220FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5 nC
   Tiempo de subida (tr): 7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

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CMT04N60XN220FP Datasheet (PDF)

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cmt04n60.pdf

CMT04N60 POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to Higher Current Rating withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Rds(on)efficiently. This new high energy device also offers a Lower Capacitancesdrain-to-source diode with fast recovery time. Designed for Lower Total Gate Charge high voltage, high speed switc

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Liste

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