DG2N65-251 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG2N65-251
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 44 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 39 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DG2N65-251
DG2N65-251 Datasheet (PDF)
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DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N
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JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N
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