DH100P30I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DH100P30I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 90 nC
   Tiempo de subida (tr): 80 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 790 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DH100P30I

DH100P30I Datasheet (PDF)

6.1. Size:1193K china
dh100p30.pdf

DH100P30/DH100P30F/DH100P30I/DH100P30E/DH100P30B/DH100P30D30A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel Enhanced VDMOSFETs, UsedV -100VDSS =advanced trench technology and design, provide toexcellent R with low gate charge. Which accords RDSON DS(on) TYP) =35mwith the RoHS standard.I = -30AD2 Features Fast Switching Low ON

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: