ELM34603AA Todos los transistores

 

ELM34603AA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM34603AA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0275 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM34603AA datasheet

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ELM34603AA

Complementary MOSFET ELM34603AA-N General Description Features ELM34603AA-N uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

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ELM34603AA

Complementary MOSFET ELM34605AA-N General Description Features ELM34605AA-N uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

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ELM34603AA

Complementary MOSFET ELM34601AA-N General Description Features ELM34601AA-N uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

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ELM34603AA

Complementary MOSFET ELM34604AA-N General Description Features ELM34604AA-N uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=7A Id=-5A Rds(on)

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