ELM34605AA-N Todos los transistores

 

ELM34605AA-N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM34605AA-N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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ELM34605AA-N Datasheet (PDF)

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ELM34605AA-N

Complementary MOSFET ELM34605AA-NGeneral Description Features ELM34605AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

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ELM34605AA-N

Complementary MOSFET ELM34601AA-NGeneral Description Features ELM34601AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=7A Id=-6A Rds(on)

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ELM34605AA-N

Complementary MOSFET ELM34604AA-NGeneral Description Features ELM34604AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=7A Id=-5A Rds(on)

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ELM34605AA-N

Complementary MOSFET ELM34600AA-NGeneral Description Features ELM34600AA-N uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=7A Id=-5A Rds(on)

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History: FHD80N07A | INK0112AU1 | AOC4810 | APTM100DA18CT1G | SFW9624 | SM6F24NSFP | HYG210P06LQ1D

 

 
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