ELM34808AA Todos los transistores

 

ELM34808AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM34808AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ELM34808AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  elm
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ELM34808AA

Dual N-channel MOSFETELM34808AA-NGeneral description Features ELM34808AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:1071K  elm
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ELM34808AA

Dual P-channel MOSFETELM34803AA-NGeneral description Features ELM34803AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:775K  elm
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ELM34808AA

Dual N-channel MOSFETELM34802AA-NGeneral description Features ELM34802AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=4.5A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:416K  elm
 elm34801aa.pdf pdf_icon

ELM34808AA

Dual P-channel MOSFETELM34801AA-NGeneral description Features ELM34801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-6A resistance. Rds(on)

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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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