ELM35601KA Todos los transistores

 

ELM35601KA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM35601KA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO-252-4

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ELM35601KA datasheet

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ELM35601KA

Complementary MOSFET ELM35601KA-S General Description Features ELM35601KA-S uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=7A Id=-5.5A Rds(on)

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ELM35601KA

Complementary MOSFET ELM35603KA-S General Description Features ELM35603KA-S uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=10A Id=-7A Rds(on)

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ELM35601KA

Complementary MOSFET ELM35604KA-S General Description Features ELM35604KA-S uses advanced trench N-channel P-channel technology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30V and low gate charge. Id=8.5A Id=-7A Rds(on)

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History: FQB44N10 | SWD10N50K

 

 

 

 

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