ELM35601KA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM35601KA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM35601KA

ELM35601KA Datasheet (PDF)

..1. Size:991K elm
elm35601ka.pdf

Complementary MOSFET ELM35601KA-SGeneral Description Features ELM35601KA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=7A Id=-5.5A Rds(on)

7.1. Size:979K elm
elm35603ka.pdf

Complementary MOSFET ELM35603KA-SGeneral Description Features ELM35603KA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40Vand low gate charge. Id=10A Id=-7A Rds(on)

7.2. Size:974K elm
elm35604ka.pdf

Complementary MOSFET ELM35604KA-SGeneral Description Features ELM35604KA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=8.5A Id=-7A Rds(on)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: