Справочник MOSFET. ELM35601KA

 

ELM35601KA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM35601KA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4

 Аналог (замена) для ELM35601KA

 

 

ELM35601KA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  elm
 elm35601ka.pdf

ELM35601KA ELM35601KA

Complementary MOSFET ELM35601KA-SGeneral Description Features ELM35601KA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40V and low gate charge. Id=7A Id=-5.5A Rds(on)

 7.1. Size:979K  elm
 elm35603ka.pdf

ELM35601KA ELM35601KA

Complementary MOSFET ELM35603KA-SGeneral Description Features ELM35603KA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=40V Vds=-40Vand low gate charge. Id=10A Id=-7A Rds(on)

 7.2. Size:974K  elm
 elm35604ka.pdf

ELM35601KA ELM35601KA

Complementary MOSFET ELM35604KA-SGeneral Description Features ELM35604KA-S uses advanced trench N-channel P-channeltechnology to provide excellent Rds(on) Vds=30V Vds=-30Vand low gate charge. Id=8.5A Id=-7A Rds(on)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: OSG60R028HTF

 

 
Back to Top