ELM36400EA Todos los transistores

 

ELM36400EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM36400EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
 

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ELM36400EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  elm
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ELM36400EA

Single N-channel MOSFETELM36400EA-SGeneral description Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:587K  elm
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ELM36400EA

Single P-channel MOSFETELM36403EA-SGeneral description Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:485K  elm
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ELM36400EA

Single N-channel MOSFETELM36402EA-SGeneral description Features ELM36402EA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on)

 7.3. Size:481K  elm
 elm36405ea.pdf pdf_icon

ELM36400EA

Single P-channel MOSFETELM36405EA-SGeneral description Features ELM36405EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)

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