RLP1N06CLE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RLP1N06CLE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de RLP1N06CLE MOSFET
RLP1N06CLE Datasheet (PDF)
rlp1n06cle.pdf

RLP1N06CLEData Sheet July 1999 File Number 2839.41A, 55V, 0.750 Ohm,Voltage Clamping, FeaturesCurrent Limited, N-Channel Power 1A, 55VMOSFET rDS(ON) = 0.750The RLP1N06CLE is an intelligent monolithic power circuit ILIMIT at 150oC = 1.1A to 1.5A Maximumwhich incorporates a lateral bipolar transistor, resistors,zener diodes, and a PowerMOS transistor. The current
Otros transistores... RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE , RFW2N06RLE , EMB04N03H , SD10425JAA , SDF034JAA-D , SDF034JAA-S , SDF034JAA-U , SDF034JAB-D , SDF034JAB-S , SDF034JAB-U , SDF044JAA-D .
History: IXTN32P60P | ELM14801AA | AOB095A60L | UT9435H | AFN2354 | SIHFI630G | BLP12N10G-P
History: IXTN32P60P | ELM14801AA | AOB095A60L | UT9435H | AFN2354 | SIHFI630G | BLP12N10G-P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor