ELM36800EA Todos los transistores

 

ELM36800EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM36800EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
 

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ELM36800EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  elm
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ELM36800EA

Dual N-channel MOSFETELM36800EA-SGeneral description Features ELM36800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.5A resistance. Rds(on)

 9.1. Size:587K  elm
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ELM36800EA

Single P-channel MOSFETELM36403EA-SGeneral description Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)

 9.2. Size:485K  elm
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ELM36800EA

Single N-channel MOSFETELM36402EA-SGeneral description Features ELM36402EA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on)

 9.3. Size:634K  elm
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ELM36800EA

Single N-channel MOSFETELM36400EA-SGeneral description Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

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History: H5N5015P | IPD60R2K0PFD7S | PSMNR70-30YLH | 2SJ315 | TPCP8203 | AOD4132 | CHM4532JGP

 

 
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