ELM36800EA Todos los transistores

 

ELM36800EA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM36800EA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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ELM36800EA datasheet

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ELM36800EA

Dual N-channel MOSFET ELM36800EA-S General description Features ELM36800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.5A resistance. Rds(on)

 9.1. Size:587K  elm
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ELM36800EA

Single P-channel MOSFET ELM36403EA-S General description Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-5A resistance. Rds(on)

 9.2. Size:485K  elm
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ELM36800EA

Single N-channel MOSFET ELM36402EA-S General description Features ELM36402EA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on)

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ELM36800EA

Single N-channel MOSFET ELM36400EA-S General description Features ELM36400EA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

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