ELM3C0660A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM3C0660A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM3C0660A

ELM3C0660A Datasheet (PDF)

..1. Size:1038K china
elm3c0660a.pdf

N MOSFETELM3C0660A ELM3C0660A N Vds=600V MOSFET Id=6A Rds(on)

8.1. Size:461K elm
elm3c0850a.pdf

Single N-channel MOSFETELM3C0850AGeneral description Features ELM3C0850A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

9.1. Size:461K elm
elm3c1350a.pdf

Single N-channel MOSFETELM3C1350AGeneral description Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13A resistance. Rds(on)

9.2. Size:576K elm
elm3c1260a.pdf

Single N-channel MOSFETELM3C1260AGeneral description Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to Vds=600Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

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Liste

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