ELM3C0660A - описание и поиск аналогов

 

ELM3C0660A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM3C0660A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для ELM3C0660A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM3C0660A даташит

 ..1. Size:1038K  china
 elm3c0660a.pdf pdf_icon

ELM3C0660A

 8.1. Size:461K  elm
 elm3c0850a.pdf pdf_icon

ELM3C0660A

Single N-channel MOSFET ELM3C0850A General description Features ELM3C0850A uses advanced trench technology to Vds=500V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

 9.1. Size:461K  elm
 elm3c1350a.pdf pdf_icon

ELM3C0660A

Single N-channel MOSFET ELM3C1350A General description Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to Vds=500V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13A resistance. Rds(on)

 9.2. Size:576K  elm
 elm3c1260a.pdf pdf_icon

ELM3C0660A

Single N-channel MOSFET ELM3C1260A General description Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to Vds=600V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ELM35601KA , ELM35603KA , ELM35604KA , ELM36400EA , ELM36402EA , ELM36403EA , ELM36405EA , ELM36800EA , MMIS60R580P , ELM3C0850A , ELM3C1260A , ELM3C1350A , ELM51400FA-S , ELM51401FA , ELM51402FA , ELM51404FA , ELM529575A .

History: FDS4435BZ | BRFL4N65S | SI2305ADS | IRFU3607PBF | BRFL13N50 | FQP50N06 | SML30L76

 

 

 

 

↑ Back to Top
.