ELM3C0850A Todos los transistores

 

ELM3C0850A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM3C0850A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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ELM3C0850A datasheet

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ELM3C0850A

Single N-channel MOSFET ELM3C0850A General description Features ELM3C0850A uses advanced trench technology to Vds=500V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:1038K  china
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ELM3C0850A

 9.1. Size:461K  elm
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ELM3C0850A

Single N-channel MOSFET ELM3C1350A General description Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to Vds=500V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13A resistance. Rds(on)

 9.2. Size:576K  elm
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ELM3C0850A

Single N-channel MOSFET ELM3C1260A General description Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to Vds=600V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

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