Справочник MOSFET. ELM3C0850A

 

ELM3C0850A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM3C0850A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для ELM3C0850A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM3C0850A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  elm
 elm3c0850a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

Single N-channel MOSFETELM3C0850AGeneral description Features ELM3C0850A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:1038K  china
 elm3c0660a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

N MOSFETELM3C0660A ELM3C0660A N Vds=600V MOSFET Id=6A Rds(on)

 9.1. Size:461K  elm
 elm3c1350a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

Single N-channel MOSFETELM3C1350AGeneral description Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13A resistance. Rds(on)

 9.2. Size:576K  elm
 elm3c1260a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

Single N-channel MOSFETELM3C1260AGeneral description Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to Vds=600Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ELM35603KA , ELM35604KA , ELM36400EA , ELM36402EA , ELM36403EA , ELM36405EA , ELM36800EA , ELM3C0660A , HY1906P , ELM3C1260A , ELM3C1350A , ELM51400FA-S , ELM51401FA , ELM51402FA , ELM51404FA , ELM529575A , ELM53400CA .

History: ME2320D-G | PP9H06BV

 

 
Back to Top

 


 
.