Справочник MOSFET. ELM3C0850A

 

ELM3C0850A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM3C0850A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM3C0850A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  elm
 elm3c0850a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

Single N-channel MOSFETELM3C0850AGeneral description Features ELM3C0850A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:1038K  china
 elm3c0660a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

N MOSFETELM3C0660A ELM3C0660A N Vds=600V MOSFET Id=6A Rds(on)

 9.1. Size:461K  elm
 elm3c1350a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

Single N-channel MOSFETELM3C1350AGeneral description Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13A resistance. Rds(on)

 9.2. Size:576K  elm
 elm3c1260a.pdf pdf_icon

ELM3C0850A

Single N-channel MOSFETELM3C1260AGeneral description Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to Vds=600Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTB40P06Q8 | FDD9407-F085 | IXTP8N50MB | SI2312A | TPH4R008NH | MDF11N65BTH | APM4568J

 

 
Back to Top

 


 
.