ELM51401FA Todos los transistores

 

ELM51401FA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM51401FA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
     - Selección de transistores por parámetros

 

ELM51401FA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1302K  elm
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ELM51401FA

Single P-channel MOSFETELM51401FA-SGeneral description Features ELM51401FA-S uses advanced trench technology Vds=-20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=-1.0Aoperation with gate voltages as low as 1.8V. Rds(on) = 600m (Vgs=-4.5V) Rds(on) = 800m (Vgs=-2.5V) Rds(on) = 1300m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limi

 7.1. Size:2346K  elm
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ELM51401FA

Single N-channel MOSFETELM51400FA-SGeneral description Features ELM51400FA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.0A resistance. Rds(on)

 7.2. Size:1272K  elm
 elm51404fa.pdf pdf_icon

ELM51401FA

Single N-channel MOSFETELM51404FA-SGeneral description Features ELM51404FA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 82m (Vgs=10V) Rds(on) = 90m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 102m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds

 7.3. Size:1306K  elm
 elm51402fa.pdf pdf_icon

ELM51401FA

Single N-channel MOSFETELM51402FA-SGeneral description Features ELM51402FA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.0A resistance. Rds(on)

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