ELM544539A Todos los transistores

 

ELM544539A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ELM544539A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ELM544539A datasheet

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ELM544539A

Complementary MOSFET ELM544539A-N General Description Features ELM544539A-N uses advanced trench technology N-channel to provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=30V, Id=5.0A, Rds(on)=36m (Vgs=10V) Vds=30V, Id=4.7A, Rds(on)=46m (Vgs=4.5V) P-channel Vds=-30V, Id=-5.4A, Rds(on)=62m (Vgs=-10V) Vds=-30V, Id=-4.2A, Rds(on)=90m (Vgs=-4.5V) Maximum Absol

 7.1. Size:2807K  elm
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ELM544539A

Complementary MOSFET ELM544599A-N General Description Features ELM544599A-N uses advanced trench technology N-channel to provide excellent Rds(on) and low gate charge. Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22m (Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28m (Vgs=4.5V) P-channel Vds=-40V, Id=-7.2A, Rds(on)=42m (Vgs=-10V) Vds=-40V, Id=-6.2A, Rds(on)=60m (Vgs=-4.5V) Maximum Abso

 8.1. Size:1276K  elm
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ELM544539A

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ELM544539A

Single P-channel MOSFET ELM549407A-N General description Features ELM549407A-N uses advanced trench technology to Vds=-60V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4.6A resistance. Rds(on)

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